세계 최대 반도체 파운드리 기업인 대만의 TSMC가 올해 4분기부터 최첨단 2㎚(나노미터) 공정 제품의 양산을 개시했다고 공식 발표했다. TSMC는 자사의 웹사이트를 통해 남부 가오슝에 위치한 난쯔 과학단지에 있는 22 팹에서 2㎚(N2) 제품을 생산하고 있음을 알렸다.

나노미터는 반도체의 회로 선폭을 측정하는 단위로, 선폭이 줄어들수록 소모 전력이 감소하고 데이터 처리 속도가 향상되는 특징이 있다. TSMC는 N2 공정에서 1세대 게이트 올어라운드(GAA) 나노시트 트랜지스터 기술을 적용하여 성능과 전력 소비에서 큰 혁신을 이루었다고 강조했다. 이 혁신은 반도체 칩 위에 전기적 연결을 위한 금속 와이어와 절연층을 구성하는 RDL(Redistribution Layer·재배선) 및 초고성능 금속 절연체 금속(SHPMIM) 커패시터의 개발을 포함하여, 표면저항(Rs)과 통과 저항(Rc)을 각각 50% 감소시켰다. 이러한 기술 발전은 보다 안정적인 전원 공급과 뛰어난 연산 능력을 제공하며, 전반적인 에너지 효율을 최적화하는 데 기여한다.

업계 관계자에 따르면 TSMC의 N2 공정은 핀펫(FinFET) 트랜지스터 기술에서 GAA 나노시트 트랜지스터 기술로의 전환을 최초로 보여주는 혁신적인 사례로 평가받고 있다. 이를 통해 트랜지스터의 크기를 줄이고 밀도를 증가시키면서 성능과 전력 효율을 유지할 수 있게 되었다.

한편, 다른 소식통은 TSMC가 현재 양산하고 있는 남부 22 팹의 N2 공정이 북부 신주과학단지의 바오산 지역에 있는 20 팹의 제1공장에서 앞서 시작되었음을 밝혀 주목을 받았다. TSMC는 22 팹과 20 팹을 통해 약 5만 개에 달하는 월간 생산능력을 오는 내년 말까지 10만 개 이상으로 증가시키고, 2027년까지는 20만 개로 확대할 계획을 세우고 있다. 초기 고객군에는 애플, AMD, 인텔이 포함되어 있으며, 향후 퀄컴, 미디어텍, 엔비디아 등의 기업도 N2 공정을 채택할 것으로 예상된다.

경쟁이 치열한 반도체 산업에서 TSMC의 N2 공정 양산은 기술적 진보와 생산 능력 확대를 동시에 이뤄내며, 고객사들에게 더 나은 제품을 제공할 수 있는 기반을 마련하였다. 따라서 글로벌 반도체 시장에서 TSMC는 더 큰 영향력을 미치게 될 전망이다.